雷竞技-新型薄膜半导体电子迁移速度创纪录—新闻—科学网

科技日报北京7月17日电（记者刘霞）据美国趣味科学网站16日报导，来自美国麻省理工学院、美国陆军作战能力成长司令部（DEVCOM）陆军研究尝试室和加拿年夜渥太华年夜学等机构的科学家，操纵名为三元石英的晶体材料，成功研制出一种新型超薄晶体薄膜雷竞技半导体。薄膜厚度仅100纳米，约为人头发丝直径的千分之一。此中电子的迁徙速度创下新记载，约为传统半导体的7倍。这一功效有助科学家研制新型高效电子装备。相干论文颁发在《本日材料物理学》杂志。

研究论文通信作者、麻省理工学院的贾加迪什 穆德拉指出，他们经由过程份子束外延进程制造出了这款薄膜半导体。该进程需要切确节制份子束，逐一原子地构建材料，如许取得的材料瑕疵最小起码，从而实现更高的电子迁徙率。

研究人员向这类薄膜半导体施加电流时，记实到电子以10000平方厘米/伏秒的破记载速度迁徙。比拟之下，在尺度硅半导体内，电子的迁徙速度凡是约为1400平方厘米/伏秒；在传统铜线中则更慢。

研究人员将这类薄膜半导体比作“不堵车的高速公路”，认为这有助在研制更高效、更可延续的电子装备，如自旋电子装备和可将废热转化为电能的可穿着热电装备。

研究团队指出，即便材猜中最细小的瑕疵也会阻碍电子活动，从而影响电子迁徙率。他们但愿进一步改良建造进程，让薄膜变得更纤薄，从而更好地利用在将来的自旋电子装备和可穿着热电装备。

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