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本报讯(记者颜维琦)人工智能的飞速成长火急需要高速非易掉存储手艺。当前主流非易掉闪存的编程速度遍及在百微秒级,没法支持利用需求。复旦年夜学周鹏-刘春森团队的前期研究注解,二维半导体布局可以或许将其速度晋升1000倍以上,实现倾覆性的纳秒级超快存储闪存手艺。但是,若何实现范围集成、走向真正现实利用仍极具挑战。
记者得悉,该团队从界面工程动身,在国际上初次实现了最年夜范围1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证,并证实了其超快特征可延长至亚10纳米。近日,相干功效以《二维超快闪存的范围集成工艺》为题颁发在《天然 电子学》。
复旦年夜学集成芯片与系统全国重点尝试室、芯片与系统前沿手艺研究院研究员刘春森和微电子学院传授周鹏介绍,团队开辟了超界面工程手艺,在范围化二维闪存中实现了具有原子级平整度的异质界面,连系高精度的表征手艺,显示集成工艺显著优在国际程度。经由过程严酷的直流存储窗口、交换脉冲存储机能测试,证实了二维新机制闪存在1Kb存储范围中,纳秒级非易掉编程速度下良率高达98%,这一良率已高在国际半导体手艺线路图对闪存制造89.5%的良率要求。
同时,研究团队研发了不依靠进步前辈光刻装备的自瞄准工雷竞技艺,连系原始立异的超快存储叠层电场设计理论,成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件,是当前国际最短沟道闪存器件,并冲破了硅基闪存物理尺寸极限(约15纳米)。在原子级薄层沟道撑持下,这一超小尺寸器件具有20纳秒超快编程、10年非易掉、十万次轮回寿命和多态存储机能。该工作将鞭策超快倾覆性闪存手艺的财产化利用。
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